多くの皆様のご出席およびご討論を御願い致したく、ご案内申し上げます。
〒108-0023 東京都港区芝浦3-3-6
(詳しくは下記のアクセスマップもしくはhttp://cic-hp.zam.go.jp/tokyo/guide.htmlをご参照下さい)
参加申込書はこちらからダウンロードして下さい。
| このたび、来夏(平成20年7月６～9日)に開催予定の第2回III族窒化物結晶成長国際シンポジウム(ISGN-2)のプレ･シンポジウム「未来を切り開く窒化物半導体結晶」を下記の日程にて開催する運びとなりました。本分野の最前線で活躍をしておられる方々にご講演を頂く予定となっております。 多くの皆様のご出席およびご討論を御願い致したく、ご案内申し上げます。 |
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| 主催 | ISGN-2 実行・プログラム委員会、日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会、東京農工大学研究院ナノ未来科学研究拠点 |
| 共催 | 文部科学省 科学研究費 特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」、大阪大学グローバルCOE「次世代電子デバイス教育研究開発拠点」 |
| 協賛 | 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 |
| 日時 | 平成19年12月19日(水) 10:00～16:30 |
| 場所 | 田町キャンパスイノベーションセンター 1階 国際会議場 〒108-0023 東京都港区芝浦3-3-6 (詳しくは下記のアクセスマップもしくはhttp://cic-hp.zam.go.jp/tokyo/guide.htmlをご参照下さい) |
| 参加費 | 一般3,000円 学生2,000円 (事前に参加登録をお願い致します) |
| 参加申込 | 参加申込書に必要事項をご記入の上、coe_nano@cc.tuat.ac.jpまでご送付下さい。 参加申込書はこちらからダウンロードして下さい。 |
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プログラムのPDFはこちらからダウンロードできます。
| 主催：ISGN-2 実行・プログラム委員会、日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会、東京農工大学研究院ナノ未来科学研究拠点 | ||||
| 共催：文部科学省 科学研究費 特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」、大阪大学グローバルCOE「次世代電子デバイス教育研究開発拠点」 | ||||
| 協賛：日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 |
| 12月19日（水） | Plenary講演（講演30＋質疑10） | |||
| 東京・田町キャンパスイノベーションセンター 1階 国際会議場 | 招待講演 （講演23＋質疑７） | |||
| 時間 | （分） | 座長 | ||
| 10:00 ～ 10:10 | 10 | はじめに | （東京農工大・工） 纐纈明伯 | 天野 |
| 10:10 ～ 10:50 | 40 | 「高出力高周波GaN HFETの現状と課題」 -結晶品質はどこまで求められるか- |
（立命館大・理工） 名西ヤスシ | |
| 10:50 ～ 11:20 | 30 | Ｒ面サファイア上へのA面GaN成長における成長温度・圧力効果 | （三重大・工） 三宅秀人、宮川鈴衣奈、生川満久、平松和政 | |
| 11:30 ～ 12:55 | 昼食 | |||
| 13:00 ～ 13:30 | 30 | 窒化物半導体結晶の室温成長技術 | （東大・生産研，神奈川科学技術アカデミー） 藤岡 洋 | 三宅 |
| 13:30 ～ 14:00 | 30 | 「MBEによるInNの高品質エピタキシャル成長制御と物性制御」―“１分子層”InNナノ構造制御とその光デバイス応用について― | (千葉大・工） 崔 成伯、王 新強、橋本直樹、斎藤英幸、藤本哲爾、大森祐治、石谷善博、吉川明彦 | |
| 14:00 ～ 14:30 | 30 | HVPEによるInN成長と表面反応メカニズム | （東京農工大・工） 熊谷義直、纐纈明伯 | |
| 14:30 ～ 14:50 | 休憩 | |||
| 14:50 ～ 15:20 | 30 | NaフラックスLPE法による大型GaN結晶育成技術 | （大阪大・工） 森 勇介 | 纐纈 |
| 15:20 ～ 15:50 | 30 | ダイヤモンド、SiC基板上へのAlNのMOVPE成長 | （ＮＴＴ物性研） 谷保芳孝、嘉数 誠 | |
| 15:50 ～ 16:30 | 40 | Ⅲ族窒化物半導体混晶のエピタキシャルラテラルオーバーグロース | （名城大・理工） 天野 浩、飯田一喜、岡田成仁、川島毅士、飯田大輔、三浦 彩、千田亮太、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇 | |