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座長：朝日透（早大） |
| 10:25～10:30 |
開会の挨拶
早稲田大学 一ノ瀬昇氏 |
| 10:30～11:00 |
超高品質SiC溶液成長法の最前線
名古屋大学 宇治原徹氏 |
| 11:00～11:30 |
高温ガス成長法によるSiC単結晶成長技術
㈱デンソー 恩田正一氏 |
| 11:30～12:00 |
酸化ガリウム単結晶の最近の進展
㈱タムラ製作所 輿公祥氏 |
| 12:00～13:00 |
休憩 |
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座長：宇治原徹（名大院） |
| 13:00～13:30 |
GaN基板の高品質化
三菱化学㈱ 寺田秀氏 |
| 13:30～14:00 |
白色LED市場最新動向と主要LEDメーカーの動向
㈱ﾃｸﾉ･ｼｽﾃﾑ･ﾘｻｰﾁ 藤田光貴氏 |
| 14:00～14:30 |
高輝度照明用蛍光体単結晶と高温センサ用圧電単結晶
物材機構 島村清史氏 |
| 14:30～15:00 |
フッ化物光学結晶の育成と評価
㈲ナカジマ技研 中畑秀利氏 |
| 15:00～15:30 |
休憩 |
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座長：柿本浩一（九大） |
| 15:30～16:00 |
マグネシウムシリサイドの結晶成長と熱電・赤外センサ応用
茨城大学 鵜殿治彦氏 |
| 16:00～16:30 |
R&D activity for SiC in Korea
Dong-Eui Univ., Korea Won-Jae Lee氏 |
| 16:30～17:00 |
昇華再結晶法によるSiCバルク単結晶成長の現状と課題
関西学院大学 大谷昇氏 |
| 17:00～17:30 |
音波及び超音波刺激を用いた長寿装置は実現可能か？
富山県立大学 山下洋八氏 |
| 17:30～17:35 |
閉会の挨拶
九州大学 柿本浩一氏 |
| 17:40～ |
自由討論会 55号館2F 竹内ラウンジ（第3会議室向かい） |
