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第91回研究会開催のお知らせ
「SiC溶液成長法のすべて」
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SiCはパワーデバイス用半導体として期待され、いよいよ本格的な実用化が視野に入ってきた。この流れをさらに加速する上で、基板結晶のさらなる高品質化、高機能化、低価格化は必須である。現在、SiC基板結晶は昇華法で育成されている。それに対して、最近次世代結晶成長法として、溶液成長法が注目を集めている。本手法は、特に高品質化においてアドバンテージがあると期待されている。我が国は溶液成長法の世界的な中心地であるが、今回の研究会では、その主要プレーヤーが一同に介するまたとない機会である。
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| 主催： |
日本結晶成長学会・バルク成長分科会
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| 協賛： |
応用物理学会東海支部
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| 日時： |
平成26年3月27日（木）13:00〜17:55
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| 場所： |
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 3階ベンチャーホール
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| 参加費： |
当日会場受付にてお支払いください。
日本結晶成長学会会員・関係会員 2,000円 非会員 3,000円 学生 1,000円
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| 懇親会： |
参加される方は、当日受付にて3,500円をお支払いください。
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| 申し込み方法： |
件名を「バルク成長分科会研究会_参加申込み」として、氏名、ﾌﾘｶﾞﾅ、所属、連絡先、会員または非会員か、懇親会への出欠を記載して事務局jimukyoku [at] jacg.jpまでお送り下さい。
3月20日（木）16:00にメールでの受付は終了致します。当日受付も可能ですが、事前登録にご協力ください。当日、会員登録をしていただくと参加費は会員扱いとなります(年会費 正会員 8,000円，学生 4,000円)。
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＜プログラム＞
| 13:00〜13:05 |
開会の挨拶
宇治原 徹（名古屋大学） |
| 13:05〜13:50 |
「n型およびp型SiC溶液成長過程における欠陥挙動と高品質結晶成長」
原田俊太（名古屋大学） |
| 13:50〜14:35 |
「不純物（Al）添加による表面荒れの抑制と長尺バルク成長の現状について」
三谷武志（独立行政法人産業技術総合研究所） |
| 14:35〜15:20 |
「SiCの溶液成長プロセスにおける界面現象」
吉川 健（東京大学） |
| 15:20〜15:35 |
休憩 |
| 15:35〜16:20 |
「新日鐵住金における溶液成長技術開発〜これまでの進展と今後の展望〜」
楠 一彦（新日鐵住金株式会社） |
| 16:20〜17:05 |
「Si/Cr系溶媒を用いたSiCバルク結晶成長」
大黒寛典（トヨタ自動車株式会社） |
| 17:05〜17:50 |
「るつぼ底からのSiC溶液成長と炭素溶解度の測定」
太子敏則（信州大学），他（トヨタ自動車） |
| 17:50〜17:55 |
閉会の挨拶
宇治原 徹（名古屋大学） |
| 18:10〜19:50 |
懇親会 |
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