日本結晶成長学会

バルク成長分科会

会員各位殿

日本結晶成長学会　　　　　　　　　　　　　　　

バルク成長分科会幹事長 柿本　浩一

第61回研究会開催のお知らせ

 

会員の皆様におかれましては、ますますご活躍のこととご推察申し上げます。

このたび、当分科会の第61回研究会を開催いたします。テーマは「「次世代シリコン結晶の可能性」で, シリコン結晶を使った次世代デバイスやそのための結晶品質、結晶特性に関して議論していただければと思います。多くの会員の皆様のご出席およびご討論をお願いしたく、ご案内申し上げます。

-　記　-

日時：    平成16年5月28日（金）    13：30 〜 17：10

場所：    信州大学 地域共同研究センター

〒380-8553 長野市若里４丁目１７番１号　　

        ＴＥＬ：０２６−２６９−５６２０（事務室）　　　　　　　　

　　　　ＦＡＸ：０２６−２６９−５６３０

　      詳しくは信州大学 地域共同研究センターのホームページをご参照ください。

＜プログラム＞

13：30〜14：10　「歪SiおよびSOIウェーハの電気的評価技術」

 　　　中島　寛1)、　王　冬1)、二宮正晴2)、中前正彦2)　

 　1)九州大学　産学連携センター、2)三菱住友シリコン

14：10〜14：50　「歪Si/SiGeへテロ構造への接合形成技術」

　　杉井伸之1）、森岡純2）、入枝重文2）、石戸谷洋平2)、

稲田太郎2)  1」日立製作所　中央研究所, 2) 法政大学工学部

14：50〜15：30　「酸化濃縮法によるSGOI基板作製技術−高移動度チャネルCMOSへの適用」

　　　　　手塚　勉1)、中払周1)、杉山直治1)、臼田宏治1)、平下紀夫1)、

　　　　　田邊顕人1)、守山佳彦1)、高木信一1,2)、宮村佳児3)、豊田英二4)、

　1)MIRAI-ASET、2) 東京大学大学院、3)コマツ電子金属、4)東芝セラミックス

15：30〜15：50     -- 休憩 --

15：50〜16：30　「半導体シリサイドのエピタキシャル成長と光デバイスへの応用」

 　　　末益　崇1)、 長谷川文夫1,2)　

　1)筑波大学物理工学系　２）現　工学院大学電子工学科

16：30〜17：10　「スピンエレクトロニクス　−シリコン技術との融合へ向けて−」

田中雅明、菅原聡、李国梁

東京大学工学系研究科

研究会終了後、会場近くにて懇親会（参加費2500-3000円）を予定しています。是非ご参加ください。

＜お問い合わせ先＞

渡辺 匡人 学習院大学　理学部

TEL：03-3986-0221(内6459), FAX：03-5992-1029, E-mail：masahito.watanabe@gakushuin.ac.jp

干川 圭吾 信州大学　教育学部

TEL：026-237-6128, FAX：026-237-6128, E-mail：khoshi1@gipnc.shinshu-u.ac.jp

柿本 浩一 九州大学　応用力学研究所

TEL：092-583-7741, FAX：092-583-7743, E-mail：kakimoto@riam.kyushu-u.ac.jp