日本学術振興会 結晶成長の科学と技術161委員会 第５０回研究会（公開研究会） 「歴史ある最先端材料 -シリコンカーバイドの多様性-」
シリコンカーバイド(SiC)は、最先端電子デバイス用単結晶基板材料として注目され、活発に研究開発が行われています。SiCはこれまでも、またこれからもヒーター、高温炉部材、結晶研磨剤など結晶成長技術を支える重要な材料であり、地球環境に優しい歴史ある最先端材料です。今回は、そのSiCの有用性・多様性に注目し研究会を企画しました。恒例となりました現場見学会は大平洋ランダム株式会社様のご好意によるSiC粉体材料製造工程です。今回は年に1度の公開研究会です。多数の方のご参加をお願いします。
開催日：		7月11日（火）
開催場所
研究会：		富山大学 黒田講堂（http://www.toyama-u.ac.jp/）
見学会：		大平洋ランダム株式会社 （http://www.rundum.co.jp/）
懇親会：		富山地鉄ホテル（http://www1.odn.ne.jp/chitetsu-hotel/）
費用：		無料 （懇親会参加費のみ 3,000円）
運営委員会：	10:30〜11:30	於 富山大学黒田講堂控室
委員総会：	11:30〜12:30	於 富山大学黒田講堂1F会議室
公開研究会：	12:30〜15:00	於 富山大学黒田講堂1F会議室
	12:30〜12:35 12:35〜13:20 13:20〜14:05 14:05〜14:50 14:50〜15:00	開会の挨拶 福田 承生（東北大学） 改良レーリー法によるSiC単結晶の欠陥の制御とエレクトロニクス 　　 　　　　 林　利彦　　（�慨IXON） 半導体熱処理用の高純度SiC部材について 堀内　雄史 （東芝セラミックス�梶j 研磨技術とSiC（ラッピング・ポリッシングで用いられる研磨剤について） 伊藤昌明（�潟tジミインコーポレーテッド） 161委員会の紹介 中嶋 一雄（東北大学）
見学会	15:30〜17:00	於 大平洋ランダム株式会社 本社（バスで移動）
懇親会	17:30〜19:30	於 富山地鉄ホテル 11F「アルシェフ」
世話人： 藤井 高志（村田製作所）、今枝 美能留 （NGK）