プログラム
8月1日（金）
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A会場（３階MOホール） |
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窒化物半導体結晶（9:00～10:45） |
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座長：（京大） 須田淳 |
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801aA1 |
RF-MBE法を用いたSi(100)基板上におけるInNの結晶成長 |
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（立命館大・理工，A 立命館大・総合理工研） 森岡千晴，山口智広，水尾和洋，荒木努，名西憓之，鈴木彰A |
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801aA2 |
高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現 |
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（立命館大・理工，A 立命館大・総合理工研） 山口智広，齋藤義樹，黒内正仁，森岡千晴，荒木努，鈴木彰A，名西憓之 |
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801aA3 |
MBE成長InN薄膜の透過電子顕微鏡観察 |
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（立命館大・理工） 荒木努，植田紗依子，山口智広，松田文絵，森岡千晴，名西憓之 |
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801aA4 |
InGaN薄膜における自然超格子構造 |
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（徳島大・工，A 三重大・工，B 東京農工大・工） 森篤史，伊藤智徳A，寒川義裕B，纐纈明伯B |
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801aA5 |
GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討 |
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（東京農工大・工，A 学習院大・計算機センター） 寒川義裕，入澤寿美A，熊谷義直，纐纈明伯 |
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801aA6 |
高圧昇華法によるGaN単結晶育成 |
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（阪大院工） 今出完，川村史朗，吉村政志，森勇介，佐々木孝友 |
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801aA7 |
Naフラックス法によるGaN単結晶の生成メカニズム |
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（阪大院工） 森下昌紀，川村史朗，吉村政志，森勇介，佐々木孝友 |
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-休憩（10:45～11:00）- |
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AlN結晶成長シンポジウム（11:00～13:15） |
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座長：（三重大） 平松和政，（農工大） 纐纈明伯 |
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801aA8 |
プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN，AlN，InNヘテロエピタキシャル初期成長過程 |
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（同志社大・工，A イオン工学研究所） 大鉢忠 ，菊池友，伊藤洋平，高木涼，鳳桐将之，下村浩司，宮内勝久，田中奈穂，和田元，大西由真A，藤田和久A |
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801aA9 |
RF-MBE法によるInAlGaN四元混晶薄膜の結晶成長 |
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（山口大・工） 岸本祐子，小西将史，岩田史郎，河野裕，作田寛明，田口常正 |
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801aA10 |
高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価 |
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（三重大，A 三菱電線工業，B ニコン，C 福井大） 安川浩範，木田喜啓，石賀章，柴田泰宏，元垣内敦司，三宅秀人，平松和政，大内洋一郎A，只友一行A，濵村寛B，福井一俊C |
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801aA11 |
HVPE法を用いたAlNの成長は可能か？ |
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（東京農工大・工） 纐纈明伯，菊地潤，寒川義裕，熊谷義直 |
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801aA12 |
Al原料制御によるAlNのHVPE成長 |
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（東京農工大・工） 纐纈明伯，山根貴好，鹿内洋志，熊谷義直 |
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801aA13 |
スパッタ法により成長させたAlN薄膜の微細構造 |
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（九州大・先端研，A 産業技術総合研究所） 桑野範之，秋山守人 A，立山博 A |
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801aA14 |
界面制御によるSiC基板上AIN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAINの成長 |
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（A 科技団さきがけ研究21，B 京大院工） 須田淳AB，小野島紀夫B，木本恒暢B，松波弘之B |
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801aA15 |
MOVPE法により成長した高品質AlNエピタキシャル膜 |
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（A 日本ガイシ，B 三重大・工） 柴田智彦AB，浅井圭一郎A，角谷茂明A，毛利充宏A，田中光浩A，小田修A，勝川裕幸A，三宅秀人B，平松和政B |
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801aA16 |
高品質AlN上に成長したGaN-free UV-LED |
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（NTT物性基礎研，A NELテクノサポート） 西田敏夫，伴知幸 A，牧本俊樹 |
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B会場（２階会議室３） |
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有機結晶（9:00～11:00） |
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座長：（岩手大） 吉本則之，（東北大） 宇治原徹 |
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801aB1 |
有機非線形光学結晶DASTの形状制御 |
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（阪大院・工） 長岡一聡，肥後輝明，高木将行，安達宏昭，吉村政志，森勇介，佐々木孝友 |
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801aB2 |
有機半導体PTCDAの水素終端Si(111)表面上でのヘテロエピタキシャル構造 |
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（A 東北大・金研，B 東北大・学際センター） 佐崎元AB，藤野卓保A，Jerzy T. Sadowski A，宇佐美徳隆A，宇治原徹A，藤原航三A，櫻井利夫A，中嶋一雄A |
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801aB3 |
基板結晶上のステップを用いた有機半導体PTCDA薄膜結晶粒の配向制御 |
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（A 東北大・金研, B 東北大・学際センター） 佐崎元AB，藤野卓保A，郡司敦A，西方督A，宇佐美徳隆A，宇治原徹A，藤原航三A，中嶋一雄A |
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801aB4 |
真空蒸着によるフェニレンオリゴマー薄膜のエピタキシャル成長 |
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（岩手大・工，A 京工繊大） 吉本則之，佐藤友也，小川智，齋藤嘉夫 A |
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801aB5 |
界面張力の圧力依存性の観察 |
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（筑波大・物質） 高野薫，赤木則義 |
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801aB6 |
高圧力下のラフニング転移 |
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（筑波大・物質） 高野薫，赤木則義 |
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801aB7 |
アントラセン単結晶の気相成長と物性評価 |
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（山口東京理科大・物質環境工学科） 城貞晴，竹永満 |
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801aB8 |
準包接水和物(TBAB-hydrate)によるガス分離 |
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（産総研） 島田亙，海老沼孝郎，近藤英昌，大山裕之，鎌田慈，竹谷敏，内田努，長尾二郎，成田英夫 |
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C会場（２階会議室２） |
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結晶成長理論Ⅰ（9:00～10:45） |
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座長：（大阪電通大） 阿久津典子 |
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801aC1 |
ヘテロエピタキシャル系の表面の平衡形(2) |
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（名城大・材料機能工，A 慶応大・理工，B 名古屋大・理） 上村英明，齋藤幸夫A，上羽牧夫B，勝野弘康B |
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801aC2 |
Si(001)微斜面の通電加熱時でのステップ束の形成と成長則 |
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（金沢大・自然科学，A 金沢大・総合メディア基盤センター，B 名大・理，C 金沢大・理） 森智徳，佐藤正英A，上羽牧夫B，広瀬幸雄C |
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801aC3 |
通電時のSi(001)微斜面でのバンチング-表面拡散の効果とカイネティクスの効果- |
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（金沢大・総合メディア基盤センター，A 名大・理，B 金沢大・自然科学，C 金沢大・理） 佐藤正英，上羽牧夫 A，森智徳B，広瀬幸雄C |
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801aC4 |
上下段テラスの構造の違いによるステップの蛇行II |
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（名大・理，A 慶応大・理工） 加藤亮，上羽牧夫，齋藤幸夫A |
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801aC5 |
微斜面のFree-Fermion描像とStep間相互作用 |
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（群馬大・工，A 大阪電通大・工，B 阪大院理） 山本隆夫，阿久津典子A，阿久津泰弘B |
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801aC6 |
テラス面の実効分配係数の緩和過程（完全固溶体） |
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（東京農工大・工，A 学習院大・計算機センター） 松本喜以子，入澤寿美 A |
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801aC7 |
第一原理計算による常圧H2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移 |
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（東京農工大・工，A 学習院大・計算機センター） 松尾有里子，寒川義裕，熊谷義直，纐纈明伯，入澤寿美A |
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-休憩（10:45～11:00）- |
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結晶成長理論Ⅱ（11:00～12:45） |
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座長：（学習院大） 入澤寿美 |
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801aC8 |
吸着子（引力系）のある微斜面：吸着子による表面緩和が非常に強い系の表面荒さとステップ・スティフネス |
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（大阪電通大・工，A 阪大院理，B 群馬大・工） 阿久津典子，阿久津泰弘A，山本隆夫B |
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801aC9 |
吸着子（反発力系）のある微斜面：吸着子による表面再構成と微斜面の傾き |
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（大阪電通大・工，A 阪大院理，B 群馬大・工） 阿久津典子，阿久津泰弘A，山本隆夫B |
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801aC10 |
フェーズフィールドモデルによるファセット形成過程のシミュレーション |
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（Canegie Mellon Univ., ，A 京大・エネルギー科学） 上原拓也 A，Robert F. Sekerka |
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801aC11 |
遮蔽クーロン系結晶の分子動力学シミュレーション |
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（徳島大・工，A 物質・材料研究機構，B 富山大・工） 中原将海，井上哲夫，三好康夫，柳谷伸一郎，森篤史，鈴木良尚，澤田勉A，伊藤研策B |
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801aC12 |
重力下の剛体球結晶の構造：モンテカルロシミュレーション |
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（徳島大・工，A 物材研究機構，B 富山大・工） 三好康夫，中原将海，森篤史，鈴木良尚，澤田勉A，伊藤研策B，柳谷伸一郎，井上哲夫 |
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801aC13 |
導電性融液中の拡散係数の高精度計測に関する数値計算 |
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（宇宙科学研究所） 稲富裕光，大西史倫，栗林一彦 |
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801aC14 |
氷柱の表面不安定性理論 |
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（北工大，北大・低温科学研） 小川直久，古川義純 |
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801aC15 |
Habit change of two-dimensional crystal during growth without
impurities |
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（A Institute for Physics of Microstructures，B Kyoto Univ., C Nizhny Novgorod University） Lev N. Balykov
AB, Masao Kitamura B and Igor L. Maksimov C |
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D会場（１階会議室１） |
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その場観察Ⅰ（9:00～10:30） |
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座長：（山口大） 和泉研二 |
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801aD1 |
瞬間加熱法による惑星間ダスト形成シミュレーション実験 |
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（東北大・理，A 産総研） 小畠秀和，塚本勝男，長嶋剣，佐藤久夫A |
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801aD2 |
ハイドレート結晶化の前駆現象としての氷の核形成 |
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（東北大・理） 原囿友輔，塚本勝男 |
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801aD3 |
ハイパークールド・メルトからのコンドリュール形成その場観察 |
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（東北大・理，A 産総研，B 学習院大・計算機センター） 長嶋剣，塚本勝男，佐藤久夫A，横山悦郎B |
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801aD4 |
過冷却水滴の高速凍結に伴うＡＥ |
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（東京農工大・工） 中島春彦，五藤豪，柳生昌明 |
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801aD5 |
位相シフト干渉計を用いた超臨界CO2－水系での長石溶解速度の計測 |
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（地球環境産業技術研究機構，A 三菱総合研究所，B 東北大院理） 徂徠正夫，大隅多加志，石川正道A，塚本勝男B |
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801aD6 |
フェイズ・フィールド・モデルによるコンドリュール固化過程のパターン解析 |
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（学習院大・計算機センター，A 学習院大・理，B 東北大・理） 横山悦郎，佐々木和哉A，入澤寿美，長嶋剣B，塚本勝男B |
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-休憩（10:30～10:45）- |
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その場観察Ⅱ（10:45～12:30） |
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座長：（東北大） 塚本勝男 |
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801aD7 |
原子間力顕微鏡による硬セッコウ結晶表面の安定性の比較 |
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（中央大院・理工） 新藤斎，五十嵐俊則 |
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801aD8 |
原子間力顕微鏡によるアラゴナイト結晶表面の安定性の比較 |
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（中央大・理工） 郭武宣，新藤斎 |
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801aD9 |
インスリン結晶のモルフォドラム |
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（山口大・教育） 和泉研二，江口達雄 |
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801aD10 |
Sr(NO3)2-H2O包晶系における安定相および準安定相の成長と溶解 |
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（物質・材料研究機構） 眞岩幸治，中村博昭，木村秀夫，宮崎昭光 |
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801aD11 |
ブリッジマン法による結晶育成における成長速度の制御 |
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（秋田大・資源） 今清水雄二 |
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801aD12 |
FZ結晶育成過程のメルト温度測定 |
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（産総研） 佐藤久夫，森下祐一 |
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801aD13 |
傾斜機能型単結晶育成 |
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（産総研） 岡邦彦，永崎洋，柴田肇 |
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