HOME

日本結晶成長学会第103回バルク成長分科会研究会

「新しい単結晶材料の開発への試み」


【日時】
2018年8月27日(月) 13:00~17:25
【場所】
早稲田大学 西早稲田キャンパス 55号館N棟1階 第二会議室
アクセス
【主催】
日本結晶成長学会 バルク成長分科会
【共催】
日本電子材料技術協会 クリスタルビジネス研究会
【参加費】
5,000円(領収書は当日発行いたします、自由討論会は無料)
【申込方法】
以下の要領でメールでお申し込みください。
  • 宛先:島村清史(物材機構)
    SHIMAMURA.Kiyoshi [at] nims.go.jp
  • 件名:「バルク成長分科会第103回研究会 参加申込」
  • メール本文に下記をご記入ください。
    ご氏名、フリガナ、ご所属、メールアドレス
【プログラム】
座長:朝日 透(早大)
13:00-13:05 〔開会の挨拶〕島村清史(物材機構) 
13:05-13:40 「SiCパワーデバイスの超高電圧分野への応用」
中村孝(大阪大学)
13:40-14:15 「超高純度・高品質ダイヤモンド結晶の化学気相成長
-パワーデバイス・量子デバイスへの応用を目指して-」
寺地 徳之(物材機構)
14:15-14:50 「結晶成長の課題 “融液とルツボの濡れ”の原因と解決策」
櫻木史郎(株式会社ユニオンマテリアル)
14:50-15:20 「ベンジルキラル結晶の光学活性の異方性」
中川鉄馬(神奈川産総研)
15:20-15:35 休憩
座長:島村清史(物材機構)
15:35-16:10 「透明蛍光サイアロンバルクセラミックスの開発」
高橋拓実(神奈川産総研)
16:10-16:45 「新規圧電単結晶の開発近況」
武田博明(東京工業大学)
16:45-17:20 「LPE成長法によるBi置換稀土類鉄ガーネット開発の歴史と
今後の展望」
中川悟(株式会社グラノプト)
17:20-17:25 〔閉会の挨拶〕島村 清史
17:30- 自由討論会 於:55号館1F 竹内ラウンジ(第二会議室向かい)