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第98回研究会開催のお知らせ
「機能性単結晶材料の最新動向--パワーデバイスから光・圧電まで--」

主催: 日本結晶成長学会・バルク成長分科会
共催: 日本電子材料技術協会・クリスタルビジネス研究会

日時: 平成28年3月4日(金)
場所: 早稲田大学 西早稲田キャンパス 55号館N棟1階 大会議室
参加費: 10,000円(領収書は当日発行いたします)
申込先: 日本結晶成長学会 事務局 安部宛 [E-mail] jacg@words-smile.com
または 日本電子材料技術協会 事務局 須田宛 [E-mail] jems@pluto.plala.or.jp
担当: 島村清史(物材機構),宇治原徹(名大院)
交通案内: http://www.sci.waseda.ac.jp/access/ をご覧ください。
地下鉄東京メトロ副都心線 西早稲田駅下車 出口3(早大理工方面口)がキャンパスに直結
JR山手線、西武新宿線、地下鉄東京メトロ東西線 高田馬場駅下車 徒歩15分
JR山手線 新大久保駅下車 徒歩12分
地下鉄大江戸線 東新宿駅下車 徒歩15分
西早稲田キャンパス建物配置図



<プログラム>
座長:朝日透(早大)
10:25〜10:30 開会の挨拶
早稲田大学 一ノ瀬昇氏
10:30〜11:00 超高品質SiC溶液成長法の最前線
名古屋大学 宇治原徹氏
11:00〜11:30 高温ガス成長法によるSiC単結晶成長技術
潟fンソー 恩田正一氏
11:30〜12:00 酸化ガリウム単結晶の最近の進展
潟^ムラ製作所 輿公祥氏
12:00〜13:00 休憩
座長:宇治原徹(名大院)
13:00〜13:30 GaN基板の高品質化
三菱化学梶@寺田秀氏
13:30〜14:00 白色LED市場最新動向と主要LEDメーカーの動向
甘クノ・システム・リサーチ 藤田光貴氏
14:00〜14:30 高輝度照明用蛍光体単結晶と高温センサ用圧電単結晶
物材機構 島村清史氏
14:30〜15:00 フッ化物光学結晶の育成と評価
泣iカジマ技研 中畑秀利氏
15:00〜15:30 休憩
座長:柿本浩一(九大)
15:30〜16:00 マグネシウムシリサイドの結晶成長と熱電・赤外センサ応用
茨城大学 鵜殿治彦氏
16:00〜16:30 R&D activity for SiC in Korea
Dong-Eui Univ., Korea Won-Jae Lee氏
16:30〜17:00 昇華再結晶法によるSiCバルク単結晶成長の現状と課題
関西学院大学 大谷昇氏
17:00〜17:30 音波及び超音波刺激を用いた長寿装置は実現可能か?
富山県立大学 山下洋八氏
17:30〜17:35 閉会の挨拶
九州大学 柿本浩一氏
17:40〜 自由討論会 55号館2F 竹内ラウンジ(第3会議室向かい)