| 13:30〜13:40 |
1. テーマ趣旨説明
西澤 伸一（産総研） |
| 13:40〜14:15 |
2. Modeling and Simulation of SiC and AlN growth
M. Pons, E. Blanquet, R. Boichot（SIMAP）, S. Nishizawa（AIST） |
| 14:15〜14:50 |
3. 昇華法によるバルクAlN単結晶の開発
永田俊郎，秋山秀敏（JFEミネラル），O. Filip, B. Epelbaum，A. Winnacker（エアランゲン大） |
| 14:50〜15:25 |
4. SiC単結晶バルク基板の最近の開発動向
藤本辰雄（新日鉄先端研） |
| 15:25〜15:45 |
− 休憩 − |
| 15:45〜16:20 |
5. SiC溶液成長の現状と展望
亀井 一人、楠 一彦、矢代 将斉、岡田 信宏（住金総研） |
| 16:20〜16:55 |
6. Growth front stability of SiC in the LPE process
F.Mercier（AIST） |
| 16:55〜17:30 |
7. 新規ＳｉＣ昇華法と液相法の提案
柿本浩一，Bing Gao，乾 史憲，中野 智，寒川義裕（九大応力研），西澤伸一（産総研） |
| 17:30〜19:00 |
懇親会 |
＊）研究会終了後、産総研食堂において懇親会（参加費3000円）を予定しています。是非、ご参加ください。
＊）会場の都合で、問い合わせ先（西澤）まで、研究会・懇親会の参加に関して、事前に御連絡頂けると非常に助かります。宜しくお願い致します。 |