日本結晶成長学会
バルク成長分科会
会員各位殿

日本結晶成長学会
バルク成長分科会幹事長	渡辺　 匡人

第65回研究会開催のお知らせ

会員の皆様におかれましては、ますますご活躍のこととご推察申し上げます。
このたび、当分科会の第65回研究会を開催いたします。テーマは「薄膜デバイスのための結晶成長」です。
多くの会員の皆様のご出席およびご討論をお願いしたく、ご案内申し上げます。
なお、今回過去の資料集の展示会を行うことにいたしました。資料集をネタに参加者皆様が自由に意見交換して頂ければ幸いです。

日時：	平成17年5月27日（金） 13：00 〜 17：00
場所：	信州大学工学部内 長野市ものづくり支援センター 〒380-8553 長野市若里４丁目１７番１号 ＴＥＬ：026-226-0180（事務室） ＦＡＸ：026-226-0180（事務室） 詳しくは信州大学工学部キャンパス案内 　　http://wwweng.cs.shinshu-u.ac.jp/campas/campas.htmをご参照ください。

＜プログラム＞

13：00〜13：40	「システムオンパネルを目指した低温ポリシリコンTFT 〜Siの結晶性と性能及び信頼性への影響〜」
	浦岡行治，矢野裕司，畑山智亮，冬木隆 奈良先端科学技術大学院大学
13：40〜14：20	「μ-Czochralski法によるsingle-grain Si TFTの開発」
	広島安1)，安部大介1)，入口千春1)，井上聡1)，下田達也1) 石原良一2)，V.Rana2)，J.W.Metselaar2)，C.I.M.Beenakker2) 1)セイコーエプソン��, 2)デルフト工科大学
14：20〜15：00	「レーザアニールによるSi薄膜溶融、結晶化過程の実時間観測と結晶の高品質化」
	波多野睦子1), 松村三江子1),佐藤健史1),田井 光春1), 芝 健夫1) 糸賀 敏彦2),大倉 理2) 1)日立製作所中央研究所， 2)日立ディスプレイズ
15：00〜15：20	− 休憩 −
15：20〜16：00	「ＺｎＯ−ＴＦＴ技術の開発」
	平尾 孝1,4)，古田 守1,4)，古田 寛1,4)，松田 時宜1,4) 平松 孝浩2,4)，掛川 正幸3)，神原 実3)，石井 裕満3) 保苅 一志3)，山本　哲也1,4) 1)高知工科大学，2)高知カシオ，3)カシオ計算機，4)高知県産業振興センター
16：00〜16：40	「InN の構造および特性の、基板結晶および成長条件依存性」
	名西穂之，荒木努，直井弘之，山口智弘，武藤大祐，森岡千晴， 上野朝隆，黒内正仁 立命館大学理工学部，立命館大学COE研究機構
16：40〜17：00	−資料集バックナンバー展示会−

＜お問い合わせ先＞