日本結晶成長学会特別講演会・日本学術振興会第161委員会第54回研究会
「窒化物半導体の結晶成長の現状と課題」 − 光・電子デバイスの飛躍的な性能向上を目指して −
開催のご案内

日本結晶成長学会は,「ナノ構造・エピタキシャル成長分科会」を担当委員会とし,日本学術振興会「結晶成長の科学と技術」161委員会と共催で,特別講演会を開催いたします. 結晶成長関連で新たなチャレンジをされる研究者・技術者の方々,そして既に関連分野でご活躍の方々,学生の方々におかれましては,この分野の最前線で活躍をしておられる講師に触れることが出来,今後の展望を共に議論をすることが出来る絶好の機会ですので,是非,ご参加下さい.
なお,講演会へのご参加,および懇親会へのご参加を希望される方は,以下の要領で事前登録をして下さい.

メールでの事前受付は終了致しました。
 尚、当日会場でも参加の受付を致しますので、事前申込をされていなくともご参加いただけます。
日 時 2007年4月13日(金)
場 所 野口英世記念会館(東京・千駄ヶ谷)
  TEL/03-3357-0742
  URL/http://noguchi.atmark.gr.jp
交通/JR[千駄ヶ谷駅]より900m徒歩9分,都営大江戸線 [国立競技場駅] A3出口より徒歩7分
主 催 日本結晶成長学会,日本学術振興会「結晶成長の科学と技術」161委員会
協 賛 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会,応用物理学会, 応用物理学会結晶工学分科会
参加費 結晶成長学会会員 2,000円
      学生会員 1,000円

            非会員(一般・学生)5,000円

懇親会費 5,000円
<協賛委員・協賛会員の参加費は、日本結晶成長学会会員と同額です>
プログラム
11:00〜13:00 講演会・研究会(午前の部)(於 講堂)
  <デバイスの立場から>
  11:00〜11:30 窒化物半導体光・電子デバイス極限機能創出のための結晶成長の技術課題
                               天野 浩(名城大学)
  <バルク成長の立場から>
  11:30〜12:00 Advanced-DEEP法による低転位GaN結晶
        元木健作,岡久拓司,弘田 龍, 中畑成二,上松康二,松本直樹(住友電工)
  12:00〜12:30 Naフラックスを用いたLPE法による大型高品質GaN結晶育成
         川村 史朗, 森 勇介, 北岡 康夫, 吉村 政志, 佐々木孝友(大阪大学)
  12:30〜13:00 酸性鉱化剤を用いた安熱合成法による高品質GaN単結晶作製
鏡谷 勇二, 星野 成大, Dirk Ehrentraut, 三川 豊 (東北大多元研), 川端紳一郎, 伊藤 浩久 (三菱化学),横山 千昭, 福田 承生 (東北大多元研)
13:00〜14:00 (昼食)
14:00〜17:00 講演会・研究会(午後の部)(於 講堂)
  <エピ成長の立場から>
  14:00〜14:30 高効率大面積AlGaN深紫外発光素子実現のためのMOCVD成長
           武内 道一(理化学研究所、東京工業大学)
  14:30〜15:00 高効率可視光LED実現に向けた窒化物半導体エピタキシャル成長技術
           只友 一行, 星野 勝之(山口大学)
  15:00〜15:30 GaN系ヘテロ構造FETにおける分極効果制御とデバイス特性
         − 新規ヘテロ構造及び絶縁膜適用による新局面の可能性 −
           前田 就彦(NTT)
  15:30〜15:50 休憩
  15:50〜17:00 パネルディスカッション   司会;平松 和政(三重大学)
  17:30〜

懇親会 (於 2Fロビー)

(世話人)平松和政,藤田慶一郎,成塚重弥,山根久典,森勇介

参加申込み,お問合せ先; 日本結晶成長学会事務局 jacg@words-smile.com TEL:03-5950-1290